AI算力与存储双扩产，功率柜需预留高密度供电散热接口

本期要闻聚焦AI算力链对功率柜设计的传导效应：国产CPU放量、存储出口激增、NAND路线图锁定、MLCC景气、三星封测外移及设备研发扩张，六条动态共同指向同一趋势——机柜功率密度与热接口预留正成为系统集成的前置条件。

据DIGITIMES报道，海光信息2026年上半年营收同比增长66.5%，同期曙光利润增长约34%，背后是AI部署加速及国产算力芯片需求走强。海光高端处理器出货量提升，意味着服务器整机与功率柜集成商需要对接的CPU供电规格正在向更高电流等级迁移。

对功率柜集成商而言，国产CPU平台与海外平台的供电接口、纹波抑制要求存在差异，DC-Link电容的容值与纹波电流额定值需按国产平台实测数据重新校核，而非简单沿用既有选型模板。

韩国7月存储芯片出口额同比激增276.9%，而系统半导体出口下滑0.7%，服务器需求与内存涨价造成两大板块明显分化。存储暴涨直接反映服务器与AI加速器对DRAM/HBM的消耗强度，单机内存容量预算正在快速抬升。

服务器内存通道增加、HBM集成度提高，推高整机功耗的同时也改变负载动态特性。功率柜集成商在计算节点的供电冗余设计中，应把存储子系统的瞬态功耗变化纳入DC-Link容量的最恶劣工况校核，避免仅按CPU功耗选型导致母线电压跌落。

SanDisk在8月13日投资者日公布面向2020年代末的技术路线图与财务目标，核心包括与数据中心客户签订多年期供应合同，以及围绕AI推理加速NAND产品迭代节奏。NAND作为存储介质，其密度提升与能耗比改善直接影响服务器存储池的功耗密度与机柜空间占用。

机柜内存储密度越高，单位体积的发热量与供电需求越大。功率柜为存储机柜供电时，需在结构上预留高密度母排接口与更强气流组织空间，同时NAND产品迭代周期缩短要求集成商在接口选型上保持一定前瞻性，避免机柜生命周期短于存储设备升级周期。

据新浪财经报道，AI服务器需求持续放量带动MLCC板块景气行情。MLCC在服务器供电链路中承担去耦、滤波功能，其需求增长反映单板电容用量与供电复杂度同步上升。

MLCC用量增加对功率柜集成商的启示在于：板级陶瓷电容与柜级薄膜电容的分工界面需要重新审视。高频开关纹波更多在板级被MLCC吸收，而母线级的能量缓冲与浪涌抑制仍需薄膜电容承担，两者配合而非替代的关系在AI服务器高功耗场景下更加清晰。

据DealSite报道，三星电子可能将韩国天安与温阳工厂的部分通用DRAM和NAND封装测试业务转移至越南，以释放国内后端产能用于HBM。这一调整若落地，将影响HBM供应节奏及AI服务器的存储带宽配置。

HBM产能扩大直接推升AI加速卡功耗与高度集成度，加速卡供电接口的机械尺寸、针脚定义及散热安装孔位都可能随HBM世代升级而变化。功率柜集成商在预布线设计时，建议将加速卡供电接口留出物理冗余余量，以兼容后续HBM容量升级带来的电流规格调整。

Lam Research计划未来五年投资超过30亿美元扩建全球研发实验室网络，预计实验能力提升超过50%，以应对半导体制造商加速开发AI复杂芯片的需求。设备商研发投入扩张意味着芯片制程与封装工艺迭代将加快。

对功率柜集成商来说，半导体设备更新周期缩短传导到终端，是功率柜需要兼容更大峰值功率与更宽电压范围的信号。建议在柜体结构设计中采用模块化功率单元插槽，以便在不改动主母排的前提下，通过更换功率模块适应下一代芯片供电需求。

本期六条动态均指向AI算力扩张对供电与散热基础设施的持续加压。功率柜集成商在8月中旬起的项目预研中，应将高密度母排接口、可扩展散热风道及模块化功率单元作为标配选项，以对冲存储与算力芯片迭代带来的接口不确定风险。

本站将持续跟踪AI算力链对电容选型与柜体机械接口的传导路径，为客户提供与新一代服务器、存储及加速卡供电架构匹配的薄膜电容方案与技术支持。